ROHM 推出用于 GaN(氮化镓)器件的栅极驱动器 IC“BD2311NVX-LB”
发布时间:2023-11-07 00:00:00

  ROHM 推出用于 GaN氮化镓器件的栅极驱动器 IC“BD2311NVX-LB”。最小栅极输入脉冲宽度为1.25纳秒,支持GaN器件的快速开关。

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  2023年9月,ROHM 发布了用于 GaN氮化镓器件的栅极驱动器 IC“BD2311NVX-LB”。同月开始量产,样品价格为每片900日元。


  最小栅极输入脉冲宽度为1.25纳秒,支持GaN器件的快速开关。采用本公司独创的驱动方式,还具有抑制栅极输入波形过冲的功能。这可以防止 GaN 器件因输入过压而发生故障。

  测试证实,与其他驱动器 IC 相比,降压和升压转换器在 1MHz 开关频率下具有更快的上升时间。此外,开关噪声也很低。


  输入电源电压为4.5至5.5V,开启延迟时间为0.65 ns,关闭延迟时间为0.7 ns。工作温度范围为 -40 至 +125°C。除了提供 2.0 x 2.0 x 0.6 mm SSON 封装外,还计划推出更小的 WLCSP 版本。


  预计主要应用是用于工业设备和基础设施监控的LiDAR驱动电路、用于数据中心的48V输入降压转换器电路以及用于便携式设备的无线供电电路。



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